IGBT指的是絕緣柵雙極晶體管(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是一種新型電力半導體器件,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵極場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通電壓降兩方面的優點。

當前，IGBT被廣泛的應用于電機節能、軌道交通、智能電網、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域，隨著下游各細分領域需求的提升，全球及中國igbt市場規模持續增長。

全球igbt市場規模

就全球市場來看，據IHSMarkit報告，2018年全球IGBT市場規模約為62億美金，2012年-2018年CAGR達11.65%;國內IGBT市場規模增速快于全球，2012年-2018年CAGR為15.98%，市場規模達146億元。

igbt中國市場規模

另外據集邦咨詢預測，受益于新能源汽車和工業領域的需求大幅增加，中國IGBT市場規模將持續增長，到2025年，中國IGBT市場規模將達到522億元，2018-2025年CAGR達19.96%。

全球igbt市場份額占比

全球igbt市場份額排名1-10名依次為：Infineon、Mitsubishi、Fuji Electric、msemikron、Vincotech、 Hitachi、Danfoss、Starpower、Toshiba、ABB Semi，市場份額占比分別為35.60%、11.90%、10.50%、7.30%、3.50%、3.10%、2.50%、2.50%、2.40%、1.80%。

從IGBT各細分市場格局來看，海外龍頭均占據主要份額，國內公司份額較低，成長空間較大。據英飛凌官網披露數據，全球IGBT市場可劃分成分立IGBT、IPMs、IGBT模塊三個細分市場，2019年對應市場規模分別為14.4億美金、15.9億美金和33.1億美金。從市場格局來看，2019年IGBT模塊市場份額前三分別為Infineon、Mitsubishi、Fuji Electric，Starpower排名第8(2.5%)。

注：以上市場份額為2019年數據

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